以下是一些常見的晶圓檢測設(shè)備及檢測方法：
晶圓檢測設(shè)備：
光學(xué)檢測設(shè)備：
顯微鏡：包括光學(xué)顯微鏡和電子顯微鏡等。光學(xué)顯微鏡可用于觀察晶圓表面的形貌、缺陷等，如劃痕、顆粒污染等，操作簡單、成本較低，但分辨率相對有限。電子顯微鏡（如掃描電子顯微鏡）具有更高的分辨率，能提供晶圓表面的微觀結(jié)構(gòu)信息，可檢測到更小尺寸的缺陷，但設(shè)備成本高，且對樣品制備要求嚴(yán)格。
光學(xué)相干斷層掃描儀（OCT）：利用近紅外光對晶圓進(jìn)行斷層掃描，可獲取晶圓內(nèi)部的三維結(jié)構(gòu)信息，檢測如層間缺陷、內(nèi)部裂紋等，非接觸式檢測，對晶圓無損傷，但檢測速度相對較慢。
電學(xué)檢測設(shè)備：
探針臺：通過微小的探針與晶圓上的芯片引腳接觸，測量芯片的電學(xué)性能參數(shù)，如電阻、電容、電流等，可檢測芯片的開路、短路等缺陷，能對單個芯片進(jìn)行精確檢測，但檢測效率相對較低，適合于小規(guī)模的樣品測試或研發(fā)階段。
電子束測試系統(tǒng)：使用電子束掃描晶圓表面，激發(fā)產(chǎn)生的二次電子等信號可反映晶圓的電學(xué)特性，能檢測到微小的電學(xué)缺陷，如漏電、電荷積累等，具有高分辨率和靈敏度，但設(shè)備復(fù)雜、成本高。
其他檢測設(shè)備：
X 射線檢測設(shè)備：X 射線穿透晶圓，根據(jù)不同材料對 X 射線的吸收和散射特性差異，可檢測晶圓內(nèi)部的結(jié)構(gòu)缺陷、雜質(zhì)等，如隱藏在內(nèi)部的空洞、夾雜物等，檢測結(jié)果直觀，但設(shè)備成本高，且需要注意 X 射線的安全防護(hù)。
聲學(xué)顯微鏡：利用超聲波在晶圓中的傳播和反射特性，檢測晶圓內(nèi)部的缺陷，如分層、裂紋等，對微小缺陷敏感，且能檢測到較深部位的缺陷，但檢測范圍相對較小。
晶圓檢測方法：
外觀檢測：
肉眼檢查：直接用肉眼觀察晶圓表面的明顯缺陷，如較大的劃痕、污漬等，簡單快捷，但只能發(fā)現(xiàn)較大且明顯的缺陷，對微小缺陷的檢測能力有限。
自動光學(xué)檢測（AOI）：通過光學(xué)成像系統(tǒng)獲取晶圓表面的圖像，利用圖像處理算法自動識別和分析缺陷，檢測速度快、效率高，可檢測多種類型的表面缺陷，如顆粒、劃痕、圖案缺陷等，但對于一些復(fù)雜的缺陷或與背景相似的缺陷，可能存在誤判或漏判。
尺寸測量：
激光干涉測量：利用激光干涉原理測量晶圓的厚度、平整度、彎曲度等尺寸參數(shù)，具有高精度、非接觸式測量的優(yōu)點(diǎn)，但對測量環(huán)境要求較高，如需要穩(wěn)定的溫度、濕度等條件。
探針輪廓測量：使用探針在晶圓表面移動，測量晶圓的表面輪廓和關(guān)鍵尺寸，可獲得高精度的尺寸信息，但可能會對晶圓表面造成一定的損傷，且測量速度相對較慢。
電學(xué)性能檢測：
I - V 特性測試：給晶圓上的芯片施加不同的電壓，測量相應(yīng)的電流，得到電流 - 電壓（I - V）特性曲線，據(jù)此分析芯片的電學(xué)性能，如二極管的正向?qū)ㄌ匦浴⒕w管的開關(guān)特性等，可檢測芯片的功能是否正常，但只能對單個或少量芯片進(jìn)行測試，效率較低。
電容 - 電壓（C - V）測試：測量芯片的電容隨電壓的變化關(guān)系，用于分析芯片的電學(xué)參數(shù)，如摻雜濃度、界面態(tài)密度等，對檢測芯片的電學(xué)特性和質(zhì)量有重要意義，但測試設(shè)備復(fù)雜，且測試過程相對繁瑣。
缺陷檢測：
掃描電子顯微鏡（SEM）檢測：將晶圓放入掃描電子顯微鏡中，通過電子束掃描晶圓表面，觀察缺陷的形態(tài)、大小和分布等，能檢測到非常微小的表面缺陷，如納米級的顆粒、缺陷等，提供高分辨率的圖像，但設(shè)備成本高，且樣品制備過程復(fù)雜。
光致發(fā)光（PL）檢測：當(dāng)用特定波長的光照射晶圓時，晶圓中的某些區(qū)域會發(fā)出特定波長的光，通過檢測光致發(fā)光的強(qiáng)度和光譜，可以檢測晶圓中的缺陷、雜質(zhì)等，對檢測晶圓的晶體質(zhì)量、缺陷類型等有較好的效果，但對于一些不發(fā)光或發(fā)光較弱的缺陷可能檢測不靈敏。
